铁电随机访问内存（Ferroelectric RAM，缩写为FeRAM或FRAM），类似于SDRAM，是一种随机访问存储器技术。但因为它使用了一层有铁电性的材料，取代原有的介电质，使得它也拥有非挥发性内存的功能。麻省理工大学达德利·艾伦·巴克（Dudley Allen Buck）在1952年提出的硕士论文中，首次提出了这个概念。

Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM or FRAM) is a random-access memory similar in construction to DRAM but uses a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. FeRAM is one of a growing number of alternative non-volatile random-access memory technologies that offer the same functionality as flash memory.